对于可控硅的参数
上传日期:2020-04-27 浏览次数:2198

1、额定通态平均电流IT在一 定条件下, 阳极--月极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。


2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。

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3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。


4、控制极触发电流lg1 、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳_--阴极间加有一定电压时, 可控硅从关断状态转为导通状态所需要的*小控制极电流和电压。


5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的*小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通。用负触发信号使其关断的可控硅等等。


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